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部品番号 | IMW120R045M1XKSA1 |
LIXINC Part # | IMW120R045M1XKSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IMW120R045M1XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IMW120R045M1XKSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolSiC™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1.2 kV |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 52A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 59mOhm @ 20A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5.7V @ 10mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 52 nC @ 15 V |
vgs (最大): | +20V, -10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.9 nF @ 800 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 228W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-3-41 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
PSMN5R4-25YLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56 | 1918 注文の詳細 |
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2SK3043 | MOSFET N-CH 450V 5A TO220D-A1 | 1179 注文の詳細 |
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NTLUS4C16NTBG | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN | 18862 注文の詳細 |
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RD3H080SPFRATL | MOSFET P-CH 45V 8A TO252 | 2493 注文の詳細 |
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RFD3055LESM | MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA | 45778 注文の詳細 |
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RS1E350GNTB | MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP | 2988 注文の詳細 |
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BUK9Y8R7-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56 | 1061 注文の詳細 |
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APT30M70BVFRG | MOSFET N-CH 300V 48A TO247 | 995 注文の詳細 |
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BUK961R6-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 5038 注文の詳細 |
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DMTH6004LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 | 4935 注文の詳細 |
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FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC | 7744 注文の詳細 |
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IPU60R2K1CEBKMA1 | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3 | 1472767 注文の詳細 |
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NTE2387 | MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220 | 1055 注文の詳細 |
在庫あり | 11196 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $17.66000 | $17.66 |
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