IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1XKSA1
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部品番号 IMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part # IMW120R045M1XKSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IMW120R045M1XKSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IMW120R045M1XKSA1 仕様

部品番号:IMW120R045M1XKSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:CoolSiC™
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1.2 kV
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:52A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):15V
(最大) @ id、vgs の rds:59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (最大) @ ID:5.7V @ 10mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:52 nC @ 15 V
vgs (最大):+20V, -10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1.9 nF @ 800 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):228W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO247-3-41
パッケージ・ケース:TO-247-3

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