参考まで
部品番号 | BUK9E6R1-100E,127 |
LIXINC Part # | BUK9E6R1-100E,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK9E6R1-100E,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 11 - Oct 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BUK9E6R1-100E,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.9mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 133 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 17.46 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 349W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
AO4421 | MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC | 1069 注文の詳細 |
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FQD2N90TF | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 1895 注文の詳細 |
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PSMN4R6-60PS,127 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | 4369 注文の詳細 |
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DMT3020LFDF-13 | MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN | 963 注文の詳細 |
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IRFHM830TRPBF | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN | 989 注文の詳細 |
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ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH | 23515919 注文の詳細 |
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STL35N15F3 | MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT | 815 注文の詳細 |
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DMN2250UFB-7B | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | 838 注文の詳細 |
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IXTA32P05T | MOSFET P-CH 50V 32A TO263 | 10402074 注文の詳細 |
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SPD07N60C2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7072 注文の詳細 |
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STB6NK90ZT4 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK | 908 注文の詳細 |
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FDMS86581-F085 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 12502 注文の詳細 |
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HUF76633P3-F085 | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 2114 注文の詳細 |
在庫あり | 11193 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.25000 | $1.25 |
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