参考まで
部品番号 | FDP12N50 |
LIXINC Part # | FDP12N50 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDP12N50 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 24 - Sep 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDP12N50 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | UniFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 500 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 650mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.315 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 165W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
SIR873DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8 | 978 注文の詳細 |
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NTE2385 | MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220 | 1373 注文の詳細 |
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RM3400 | MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 | 924 注文の詳細 |
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BSZ028N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON | 10204 注文の詳細 |
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AUIRFU8405 | MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK | 6945 注文の詳細 |
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DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | 865 注文の詳細 |
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STD18NF25 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 869 注文の詳細 |
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IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA | 494160 注文の詳細 |
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IPA90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 | 931 注文の詳細 |
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NVTFWS003N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN | 6993 注文の詳細 |
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SQJ412EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | 12584 注文の詳細 |
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BSS606NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | 5495 注文の詳細 |
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FDMA86251 | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET | 2147484488 注文の詳細 |
在庫あり | 12152 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.68000 | $0.68 |
1000 | $0.68000 | $680 |
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