参考まで
部品番号 | IRFSL4010PBF |
LIXINC Part # | IRFSL4010PBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 180A TO262 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFSL4010PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 30 - Jul 04 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | IRFSL4010PBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.7mOhm @ 106A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 215 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 9575 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 375W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-262 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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CSD19503KCS | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 2349 注文の詳細 |
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STF9N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP | 873 注文の詳細 |
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IRF540NSTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | 842 注文の詳細 |
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TK100E06N1,S1X | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 | 904 注文の詳細 |
在庫あり | 10910 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.29000 | $3.29 |
10 | $2.95743 | $29.5743 |
100 | $2.45919 | $245.919 |
500 | $2.02766 | $1013.83 |
1000 | $1.73999 | $1739.99 |
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