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| 部品番号 | HUF76113SK8 |
| LIXINC Part # | HUF76113SK8 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | HUF76113SK8 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | HUF76113SK8 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
NTD3817N-1G | MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK | 15353 注文の詳細 |
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IPAN80R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 | 1297 注文の詳細 |
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AOB600A60L | MOSFET N-CH 600V 8A TO263 | 1621 注文の詳細 |
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IRFU320 | MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA | 1865 注文の詳細 |
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CSD19538Q3A | MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON | 922 注文の詳細 |
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STN3N40K3 | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | 5442 注文の詳細 |
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STLD200N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 3312 注文の詳細 |
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SIHU5N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA | 3862 注文の詳細 |
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SKI10123 | MOSFET N-CH 100V 66A TO263 | 878 注文の詳細 |
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SIDR610DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK | 1952 注文の詳細 |
 |
IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3339 注文の詳細 |
 |
SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 2987 注文の詳細 |
 |
FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1307 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12919 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
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