参考まで
| 部品番号 | IPB80N04S304ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB80N04S304ATMA1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPB80N04S304ATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPB80N04S304ATMA1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 90µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.2 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 136W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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IXTA2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 899 注文の詳細 |
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MCU06N40-TP | MOSFET N-CH 400V 6A DPAK | 2645 注文の詳細 |
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FDB8443 | MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB | 80298 注文の詳細 |
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TK160F10N1,LXGQ | MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM | 1687 注文の詳細 |
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IRF1010NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | 5359 注文の詳細 |
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CSD15380F3T | MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR | 5847 注文の詳細 |
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AOTF5N100 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F | 864 注文の詳細 |
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AUIRFR2607Z | AUTOMOTIVE POWER MOSFET | 14087 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10814 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $0.91405 | $0.91405 |
| 1000 | $0.85364 | $853.64 |
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