参考まで
部品番号 | PMZ350XN,315 |
LIXINC Part # | PMZ350XN,315 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMZ350XN,315 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | PMZ350XN,315 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.87A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 420mOhm @ 200mA, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 0.65 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 37 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DFN1006-3 |
パッケージ・ケース: | SC-101, SOT-883 |
TP89R103NL,LQ | MOSFET N CH 30V 15A 8SOP | 983 注文の詳細 |
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FCPF650N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 1680 注文の詳細 |
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PMXB56ENZ | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 867 注文の詳細 |
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PSMN085-150K,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 908 注文の詳細 |
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TK65S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 977 注文の詳細 |
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AO6400 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP | 815 注文の詳細 |
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TQM025NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU | 5917 注文の詳細 |
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3N164 TO-72 4L | P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO | 921 注文の詳細 |
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NTD5N50 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8045 注文の詳細 |
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IRFP340 | MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 | 2516 注文の詳細 |
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AON7409 | MOSFET P-CH 30V 16A/32A 8DFN | 929 注文の詳細 |
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PMV280ENEA215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 15916 注文の詳細 |
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STQ1HN60K3-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 | 913 注文の詳細 |
在庫あり | 20870 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.22000 | $0.22 |
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