参考まで
部品番号 | IMW120R060M1HXKSA1 |
LIXINC Part # | IMW120R060M1HXKSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IMW120R060M1HXKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IMW120R060M1HXKSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolSiC™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1.2 kV |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 36A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V, 18V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 78mOhm @ 13A, 18V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5.7V @ 5.6mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 31 nC @ 18 V |
vgs (最大): | +23V, -7V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.06 nF @ 800 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 150W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-3-41 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA | 1461 注文の詳細 |
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AUIRFB4610 | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 11921 注文の詳細 |
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NTMFS5C670NLT1G | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN | 2147484543 注文の詳細 |
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NTMSD3P102R2SG | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC | 25932 注文の詳細 |
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IXTP42N15T | MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB | 853 注文の詳細 |
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IRFBC30ALPBF | MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK | 850 注文の詳細 |
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IRF8736PBF | MOSFET N-CH 30V 18A 8SO | 984 注文の詳細 |
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RF1K4909396 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 3902 注文の詳細 |
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IXTT110N10L2 | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 | 818 注文の詳細 |
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TSM120NA03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN | 991 注文の詳細 |
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IRFBF30PBF-BE3 | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB | 1820 注文の詳細 |
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RM80N80HD | MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO263-2 | 997 注文の詳細 |
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SI3457CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP | 22123 注文の詳細 |
在庫あり | 11351 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $12.44000 | $12.44 |
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