参考まで
部品番号 | FQP11N40 |
LIXINC Part # | FQP11N40 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQP11N40 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQP11N40 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 400 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 480mOhm @ 5.7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.4 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 147W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
STP34NM60ND | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 | 1613 注文の詳細 |
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STB80N20M5 | MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK | 1034 注文の詳細 |
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IRF840 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB | 851 注文の詳細 |
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IXFT12N90Q | MOSFET N-CH 900V 12A TO268 | 939 注文の詳細 |
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STF4N62K3 | MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP | 916 注文の詳細 |
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TK290P60Y,RQ | MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK | 3480 注文の詳細 |
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VP0109N3-G | MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3 | 1869 注文の詳細 |
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DMN4800LSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO | 638015895 注文の詳細 |
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BUK7508-40B,127 | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | 18803 注文の詳細 |
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IRFU9110 | 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL | 4347 注文の詳細 |
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STB20NM50T4 | MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK | 1695 注文の詳細 |
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STB60NF10-1 | MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | 824 注文の詳細 |
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IRF9630SPBF | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK | 960 注文の詳細 |
在庫あり | 12794 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.83000 | $0.83 |
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