VP0109N3-G

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部品番号 VP0109N3-G
LIXINC Part # VP0109N3-G
メーカー Roving Networks / Microchip Technology
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル VP0109N3-G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VP0109N3-G 仕様

部品番号:VP0109N3-G
ブランド:Roving Networks / Microchip Technology
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Roving Networks / Microchip Technology
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):90 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:250mA (Tj)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:-
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:60 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-92-3
パッケージ・ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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