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部品番号 | BUK9907-55ATE,127 |
LIXINC Part # | BUK9907-55ATE,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | PFET, 75A I(D), 55V, 0.0077OHM, |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK9907-55ATE,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BUK9907-55ATE,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.2mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 108 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.836 pF @ 25 V |
フェチ機能: | Temperature Sensing Diode |
消費電力 (最大): | 272W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-5 |
パッケージ・ケース: | TO-220-5 |
GKI04101 | MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN | 817 注文の詳細 |
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APT100F50J | MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP | 980 注文の詳細 |
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APT80F60J | MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP | 803 注文の詳細 |
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FQU5N50CTU-WS | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK | 10910 注文の詳細 |
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RD3L07BATTL1 | PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 | 920 注文の詳細 |
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DMT8012LFG-7 | MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 | 1437 注文の詳細 |
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RM5N650IP | MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251 | 810 注文の詳細 |
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STN1NK60Z | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 | 18124 注文の詳細 |
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RM21N700T2 | MOSFET N-CH 700V 21A TO220-3 | 927 注文の詳細 |
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DMP6050SFG-13 | MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 | 914 注文の詳細 |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 | 5824 注文の詳細 |
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DMN2004TK-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 | 2147484496 注文の詳細 |
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STW45N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 34A TO247 | 871 注文の詳細 |
在庫あり | 12826 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.36000 | $1.36 |
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