参考まで
部品番号 | RD3L07BATTL1 |
LIXINC Part # | RD3L07BATTL1 |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RD3L07BATTL1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RD3L07BATTL1 |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 70A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12.7mOhm @ 70A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 105 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6700 pF @ 30 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 101W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
DMT8012LFG-7 | MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 | 1535 注文の詳細 |
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RM5N650IP | MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251 | 899 注文の詳細 |
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STN1NK60Z | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 | 18130 注文の詳細 |
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RM21N700T2 | MOSFET N-CH 700V 21A TO220-3 | 931 注文の詳細 |
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DMP6050SFG-13 | MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 | 987 注文の詳細 |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 | 5965 注文の詳細 |
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DMN2004TK-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 | 2147484484 注文の詳細 |
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STW45N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 34A TO247 | 1004 注文の詳細 |
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APT28M120B2 | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | 1079 注文の詳細 |
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IRFS640A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3419 注文の詳細 |
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IPD95R750P7ATMA1 | MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 | 1542 注文の詳細 |
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HUF75631S3S | N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4 | 2000 注文の詳細 |
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STB76NF75 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 2096 注文の詳細 |
在庫あり | 10960 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.16000 | $2.16 |
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