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| 部品番号 | 2SK2008-E |
| LIXINC Part # | 2SK2008-E |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SK2008-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SK2008-E |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FCH077N65F-F085 | MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 | 1131 注文の詳細 |
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AOD600A60 | MOSFET N-CH 600V 8A TO252 | 3324 注文の詳細 |
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IXTP94N20X4 | MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220 | 995 注文の詳細 |
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IRF8113TRPBF | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO | 3069 注文の詳細 |
 |
HUF76439S3S | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 990 注文の詳細 |
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IRFP450PBF | MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 | 2807 注文の詳細 |
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CSD17573Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | 12183 注文の詳細 |
 |
FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | 59073 注文の詳細 |
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DMP2021UFDE-13 | MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN | 956 注文の詳細 |
 |
TSM70NB1R4CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 | 3153 注文の詳細 |
 |
STL7N6F7 | MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT | 4219 注文の詳細 |
 |
FQPF7N60 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 15254 注文の詳細 |
 |
BUZ32H3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2227 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10832 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $5.20000 | $5.2 |
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