参考まで
部品番号 | RTQ035N03HZGTR |
LIXINC Part # | RTQ035N03HZGTR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RTQ035N03HZGTR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RTQ035N03HZGTR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 54mOhm @ 3.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.4 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 285 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 950mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT6 (SC-95) |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
FDMS3008SDC | 29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL, | 9926 注文の詳細 |
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IPN80R900P7ATMA1 | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 | 6380 注文の詳細 |
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BUZ73AE3046 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 947 注文の詳細 |
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SQ4850EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 12A 8SO | 3272 注文の詳細 |
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APT10M19BVRG | MOSFET N-CH 100V 75A TO247 | 949 注文の詳細 |
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IPA60R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP | 866 注文の詳細 |
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BUK7212-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | 893 注文の詳細 |
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EPC2039 | GANFET N-CH 80V 6.8A DIE | 90097 注文の詳細 |
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AON6510 | MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN | 1384 注文の詳細 |
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IRF840LCSTRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB | 916 注文の詳細 |
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2SK209-Y(TE85L,F) | MOSFET N-CH 10V 14MA SC59 | 12297 注文の詳細 |
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PSMN130-200D,118-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 801 注文の詳細 |
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PMZB670UPE,315 | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | 30475 注文の詳細 |
在庫あり | 13835 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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