参考まで
| 部品番号 | FDS6900S |
| LIXINC Part # | FDS6900S |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDS6900S PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDS6900S |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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STLD125N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 1690 注文の詳細 |
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CSD19534KCS | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 1605 注文の詳細 |
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DMPH4015SSSQ-13 | MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO | 814 注文の詳細 |
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PSMN3R8-100BS,118 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 7175 注文の詳細 |
 |
DMP3013SFK-13 | MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN | 888 注文の詳細 |
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NTD4858NAT4G | MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK | 57806 注文の詳細 |
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STP10N60M2 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 | 1012 注文の詳細 |
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IPD90N04S403ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | 880 注文の詳細 |
 |
FQPF8N90C | MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F | 27662 注文の詳細 |
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NTD70N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK | 142760 注文の詳細 |
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MSC40SM120JCU3 | TRANS SJT N-CH 1.2KV 55A SOT227 | 862 注文の詳細 |
 |
CSD23382F4T | MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR | 8091 注文の詳細 |
 |
EPC2023 | GANFET N-CH 30V 60A DIE | 7219 注文の詳細 |
| 在庫あり | 297603 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.53000 | $0.53 |
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