参考まで
部品番号 | BSP297L6327HTSA1 |
LIXINC Part # | BSP297L6327HTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP297L6327HTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BSP297L6327HTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 660mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.8V @ 400µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16.1 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 357 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
AON7292 | MOSFET N-CH 100V 9A/23A 8DFN | 888 注文の詳細 |
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HUF75542S3S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1337 注文の詳細 |
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STD44N4LF6 | MOSFET N-CH 40V 44A DPAK | 979 注文の詳細 |
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BSC105N10LSFGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON | 4101 注文の詳細 |
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STW75NF30AG | MOSFET N-CH 300V 60A TO247 | 980 注文の詳細 |
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TSM033NA04LCR RLG | MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN | 5710 注文の詳細 |
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SI2301-TP | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 2674 注文の詳細 |
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IRFP3306PBF | MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC | 2502 注文の詳細 |
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DMP2066LSN-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 | 23531 注文の詳細 |
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STL120N2VH5 | MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT | 977 注文の詳細 |
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STU3N45K3 | MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK | 928 注文の詳細 |
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FQA13N80-F109 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1012 注文の詳細 |
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SIHP15N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB | 1939 注文の詳細 |
在庫あり | 10832 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.29328 | $0.29328 |
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