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部品番号 | SIHP15N80AE-GE3 |
LIXINC Part # | SIHP15N80AE-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHP15N80AE-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHP15N80AE-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 350mOhm @ 7.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1093 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 156W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
AOWF125A60 | MOSFET N-CH 600V 28A TO262F | 1835 注文の詳細 |
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SI8413DB-T1-E1 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT | 3862 注文の詳細 |
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TK14G65W,RQ | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK | 3606 注文の詳細 |
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RM180N100T2 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3 | 813 注文の詳細 |
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FQP2N90 | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3 | 959 注文の詳細 |
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IRLU3636PBF | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK | 3372 注文の詳細 |
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SIS478DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 | 964 注文の詳細 |
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IRL3803PBF | MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB | 806 注文の詳細 |
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BUK7E13-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK | 2316 注文の詳細 |
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BUK661R6-30C,118 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | 849 注文の詳細 |
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IXTN120P20T | MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B | 1160 注文の詳細 |
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HUF76129S3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 891 注文の詳細 |
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IXTY2N65X2 | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 | 1082 注文の詳細 |
在庫あり | 11878 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.77000 | $2.77 |
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