参考まで
部品番号 | 2SK1519-E |
LIXINC Part # | 2SK1519-E |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK1519-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | 2SK1519-E |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
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SISA14DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 | 2714 注文の詳細 |
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SIR880ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | 2487 注文の詳細 |
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BSC159N10LSFGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON | 836 注文の詳細 |
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FDFC2P100 | MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6 | 116779 注文の詳細 |
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5HN01SS-TL-E | MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 | 974 注文の詳細 |
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FKI06190 | MOSFET N-CH 60V 30A TO220F | 821 注文の詳細 |
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IXFP102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO220AB | 2015 注文の詳細 |
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TK9A65W,S5X | MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS | 808 注文の詳細 |
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IRFIBC40G | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3 | 989 注文の詳細 |
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NTMFS4839NHT3G | MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN | 10989 注文の詳細 |
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EFC4612R-S-TR | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP | 810 注文の詳細 |
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IXTY1R4N120PHV | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | 917 注文の詳細 |
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NTF3055-160T1 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 | 52576 注文の詳細 |
在庫あり | 11250 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $19.93000 | $19.93 |
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