MVSF2N02ELT1G

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部品番号 MVSF2N02ELT1G
LIXINC Part # MVSF2N02ELT1G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MVSF2N02ELT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MVSF2N02ELT1G 仕様

部品番号:MVSF2N02ELT1G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Not For New Designs
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:2.8A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):2.5V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:85mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:3.5 nC @ 4 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:150 pF @ 5 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1.25W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ・ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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