参考まで
部品番号 | SCTW100N65G2AG |
LIXINC Part # | SCTW100N65G2AG |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SCTW100N65G2AG PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SCTW100N65G2AG |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 18V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 26mOhm @ 50A, 18V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 162 nC @ 18 V |
vgs (最大): | +22V, -10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3315 pF @ 520 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 420W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | HiP247™ |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
BSS119NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 30472 注文の詳細 |
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BUK7523-75A,127 | MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB | 817 注文の詳細 |
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AUIRF7207Q | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO | 954 注文の詳細 |
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APT29F80J | MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP | 830 注文の詳細 |
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FDS3580 | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC | 3894 注文の詳細 |
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NTD3055-094-1G | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | 102260 注文の詳細 |
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DMN30H4D0L-7 | MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 | 876 注文の詳細 |
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SQM100N10-10_GE3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263 | 1348 注文の詳細 |
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AUIRFR4615TRL | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | 826 注文の詳細 |
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STP5NK65ZFP | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP | 892 注文の詳細 |
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STW12NK80Z | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3 | 1528 注文の詳細 |
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SQM120N06-06_GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | 1534 注文の詳細 |
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IRFZ10PBF | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 821 注文の詳細 |
在庫あり | 12364 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $28.98000 | $28.98 |
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