参考まで
部品番号 | NTD3055-094-1G |
LIXINC Part # | NTD3055-094-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD3055-094-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD3055-094-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 94mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 450 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Ta), 48W (Tj) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
DMN30H4D0L-7 | MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 | 850 注文の詳細 |
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SQM100N10-10_GE3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263 | 1481 注文の詳細 |
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AUIRFR4615TRL | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | 837 注文の詳細 |
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STP5NK65ZFP | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP | 965 注文の詳細 |
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STW12NK80Z | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3 | 1456 注文の詳細 |
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SQM120N06-06_GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | 1607 注文の詳細 |
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IRFZ10PBF | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 850 注文の詳細 |
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FQD16N15TM | MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK | 2797 注文の詳細 |
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IRF6795MTRPBF | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 3711 注文の詳細 |
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SQP100P06-9M3L_GE3 | MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB | 1229 注文の詳細 |
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TPN1600ANH,L1Q | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV | 902 注文の詳細 |
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IPA65R310CFDXKSA2 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | 957 注文の詳細 |
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SIHG24N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | 1455 注文の詳細 |
在庫あり | 102420 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.25000 | $0.25 |
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