IAUT165N08S5N029ATMA2

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部品番号 IAUT165N08S5N029ATMA2
LIXINC Part # IAUT165N08S5N029ATMA2
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IAUT165N08S5N029ATMA2 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IAUT165N08S5N029ATMA2 仕様

部品番号:IAUT165N08S5N029ATMA2
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:165A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.8V @ 108µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:90 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:6370 pF @ 40 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):167W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-HSOF-8-1
パッケージ・ケース:8-PowerSFN

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