参考まで
部品番号 | RQ1E075XNTCR |
LIXINC Part # | RQ1E075XNTCR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ1E075XNTCR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RQ1E075XNTCR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 17mOhm @ 7.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.8 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 440 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.1W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT8 |
パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
IXTT10P60 | MOSFET P-CH 600V 10A TO268 | 2888 注文の詳細 |
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IRFBC40SPBF | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | 935 注文の詳細 |
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IXTA48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO263 | 929 注文の詳細 |
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H7N0308CF-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 903 注文の詳細 |
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DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN | 945 注文の詳細 |
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3LN01C-TB-H | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | 46074 注文の詳細 |
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APT42F50B | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 | 1133 注文の詳細 |
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IPP034N03LGXKSA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 1391 注文の詳細 |
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DMP3036SSS-13 | MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO | 5475 注文の詳細 |
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NVJS4405NT1G | MOSFET N-CH 25V 1A SC88 | 948 注文の詳細 |
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TPN2R703NL,L1Q | MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON | 3537 注文の詳細 |
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STD7NM80-1 | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK | 938 注文の詳細 |
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SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | 8625 注文の詳細 |
在庫あり | 18986 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.77000 | $0.77 |
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