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部品番号 | SCTH35N65G2V-7AG |
LIXINC Part # | SCTH35N65G2V-7AG |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SCTH35N65G2V-7AG PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 09 - Jul 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SCTH35N65G2V-7AG |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 45A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 18V, 20V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 67mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.2V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 73 nC @ 20 V |
vgs (最大): | +22V, -10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1370 pF @ 400 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 208W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | H2PAK-7 |
パッケージ・ケース: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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在庫あり | 11921 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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