参考まで
| 部品番号 | FDB603AL |
| LIXINC Part # | FDB603AL |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDB603AL PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDB603AL |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1440 注文の詳細 |
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BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60867 注文の詳細 |
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IRFR24N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 6534 注文の詳細 |
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IRFF232 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1217 注文の詳細 |
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SIRA88DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 | 1564 注文の詳細 |
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IRF2204PBF | MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB | 980 注文の詳細 |
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IPP037N08N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 999 注文の詳細 |
 |
SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 1463 注文の詳細 |
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TN0620N3-G-P002 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 4530 注文の詳細 |
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AON6435 | MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN | 913 注文の詳細 |
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IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 | 5821 注文の詳細 |
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IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 | 991 注文の詳細 |
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RCX100N25 | MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM | 1036 注文の詳細 |
| 在庫あり | 40091 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.12000 | $1.12 |
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