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部品番号 | IPP037N08N3G |
LIXINC Part # | IPP037N08N3G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPP037N08N3G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPP037N08N3G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 1543 注文の詳細 |
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TN0620N3-G-P002 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 4616 注文の詳細 |
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AON6435 | MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN | 865 注文の詳細 |
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IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 | 5995 注文の詳細 |
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IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 | 973 注文の詳細 |
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RCX100N25 | MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM | 981 注文の詳細 |
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SIR846BDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK | 6650 注文の詳細 |
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IRFI7440GPBF | IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET | 821 注文の詳細 |
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DMN6013LFG-13 | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 | 858 注文の詳細 |
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STF100N10F7 | MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP | 1628 注文の詳細 |
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IXTP8N70X2M | MOSFET N-CH 700V 4A TO220 | 880 注文の詳細 |
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NTMFS4C025NT1G | MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN | 901 注文の詳細 |
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RFD8P06LE | P-CHANNEL POWER MOSFET | 8008 注文の詳細 |
在庫あり | 10817 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.81000 | $0.81 |
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