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| 部品番号 | BSZ22DN20NS3G |
| LIXINC Part # | BSZ22DN20NS3G |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSZ22DN20NS3G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSZ22DN20NS3G |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON | 61048 注文の詳細 |
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APT10021JLL | MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP | 839 注文の詳細 |
 |
BUK6Y24-40PX | MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 | 2016 注文の詳細 |
 |
2SJ661-1E | MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3 | 15579 注文の詳細 |
 |
PSMN7R6-100BSEJ | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 4387 注文の詳細 |
 |
TK62N60X,S1F | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 | 1188 注文の詳細 |
 |
FDB7030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB | 65632 注文の詳細 |
 |
IPB45P03P4L11ATMA1 | MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3-2 | 961 注文の詳細 |
 |
R6030MNX | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | 1317 注文の詳細 |
 |
FQB9N25TM | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK | 915 注文の詳細 |
 |
IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3675 注文の詳細 |
 |
SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1187 注文の詳細 |
 |
APT43M60B2 | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | 922 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11997 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.38000 | $0.38 |
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