参考まで
部品番号 | FQB9N25TM |
LIXINC Part # | FQB9N25TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB9N25TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB9N25TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 250 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 420mOhm @ 4.7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 700 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 90W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3662 注文の詳細 |
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SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1040 注文の詳細 |
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APT43M60B2 | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | 847 注文の詳細 |
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TK5Q65W,S1Q | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | 818 注文の詳細 |
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IRL2203NPBF-INF | HEXFET POWER MOSFET | 982 注文の詳細 |
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NVMFS5C430NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 10873 注文の詳細 |
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SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 876 注文の詳細 |
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IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO247 | 3102 注文の詳細 |
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SI4776DY-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO | 2565 注文の詳細 |
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AOSS32136C | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 | 15273 注文の詳細 |
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3LN01S-K-TL-E | MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP | 126808 注文の詳細 |
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ZXM61N02FTC | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 10924 注文の詳細 |
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FQI27N25TU | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 23822 注文の詳細 |
在庫あり | 10861 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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