参考まで
| 部品番号 | IRL2203NPBF-INF |
| LIXINC Part # | IRL2203NPBF-INF |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | HEXFET POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRL2203NPBF-INF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRL2203NPBF-INF |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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NVMFS5C430NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 10984 注文の詳細 |
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SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 913 注文の詳細 |
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IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO247 | 3106 注文の詳細 |
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SI4776DY-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO | 2739 注文の詳細 |
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AOSS32136C | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 | 15208 注文の詳細 |
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3LN01S-K-TL-E | MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP | 126823 注文の詳細 |
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ZXM61N02FTC | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 10822 注文の詳細 |
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FQI27N25TU | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 23978 注文の詳細 |
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NVTFS5C466NLTAG | MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN | 929 注文の詳細 |
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STP8N80K5 | MOSFET N CH 800V 6A TO220 | 1820 注文の詳細 |
 |
FQP9N08 | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 | 3992 注文の詳細 |
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FDMC610P | MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 | 7986 注文の詳細 |
 |
SN7002WH6433 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 10908 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10943 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.58000 | $0.58 |
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