参考まで
| 部品番号 | SN7002WH6433 |
| LIXINC Part # | SN7002WH6433 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SN7002WH6433 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SN7002WH6433 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IPB60R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 | 62877 注文の詳細 |
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TK11A55D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS | 888 注文の詳細 |
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CSD18542KTT | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK | 9869 注文の詳細 |
 |
2SK1629-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1133 注文の詳細 |
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RM115N65T2 | MOSFET N-CH 65V 115A TO220-3 | 923 注文の詳細 |
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FDD86369-F085 | MOSFET N-CH 80V 90A DPAK | 2371 注文の詳細 |
 |
FDMS8622 | MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN | 300918944 注文の詳細 |
 |
IPD100N06S403ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-31 | 17329 注文の詳細 |
 |
IRFR422 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1939 注文の詳細 |
 |
STD4LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK | 1942 注文の詳細 |
 |
SI1078X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | 990 注文の詳細 |
 |
FQPF19N10L | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F | 2291 注文の詳細 |
 |
IRLR2908PBF | HEXFET POWER MOSFET | 874 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10947 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.03000 | $0.03 |
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