参考まで
| 部品番号 | IRFR422 |
| LIXINC Part # | IRFR422 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFR422 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFR422 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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STD4LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK | 2088 注文の詳細 |
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SI1078X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | 835 注文の詳細 |
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FQPF19N10L | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F | 2345 注文の詳細 |
 |
IRLR2908PBF | HEXFET POWER MOSFET | 868 注文の詳細 |
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IRFR6215PBF | PFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM, | 927 注文の詳細 |
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STD4N80K5 | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 5824 注文の詳細 |
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FDS6680 | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC | 59135 注文の詳細 |
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NVMFS6H800NLWFT1G | MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN | 837 注文の詳細 |
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NVMFS5C404NT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 913 注文の詳細 |
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TSM5NC50CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252 | 3404 注文の詳細 |
 |
SI7113DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK | 7045 注文の詳細 |
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MPF6659RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 11360 注文の詳細 |
 |
CSD18510Q5B | MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON | 811 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12132 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
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