参考まで
部品番号 | FQP9N08 |
LIXINC Part # | FQP9N08 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQP9N08 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQP9N08 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7.7 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 250 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 40W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
FDMC610P | MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 | 8141 注文の詳細 |
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SN7002WH6433 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 10879 注文の詳細 |
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IPB60R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 | 62802 注文の詳細 |
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TK11A55D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS | 899 注文の詳細 |
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CSD18542KTT | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK | 9884 注文の詳細 |
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2SK1629-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1173 注文の詳細 |
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RM115N65T2 | MOSFET N-CH 65V 115A TO220-3 | 879 注文の詳細 |
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FDD86369-F085 | MOSFET N-CH 80V 90A DPAK | 2346 注文の詳細 |
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FDMS8622 | MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN | 300918896 注文の詳細 |
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IPD100N06S403ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-31 | 17366 注文の詳細 |
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IRFR422 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1948 注文の詳細 |
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STD4LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK | 2076 注文の詳細 |
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SI1078X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | 990 注文の詳細 |
在庫あり | 14088 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.27000 | $0.27 |
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