参考まで
| 部品番号 | NVMFS5826NLT1G |
| LIXINC Part # | NVMFS5826NLT1G |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NVMFS5826NLT1G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NVMFS5826NLT1G |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
NVMFS4C03NWFT3G | MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN | 940 注文の詳細 |
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NVD14N03RT4G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35300 注文の詳細 |
 |
NTMS7N03R2G | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC | 2972 注文の詳細 |
 |
PMZB290UNE2YL | MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 | 806 注文の詳細 |
 |
FKI06051 | MOSFET N-CH 60V 69A TO220F | 848 注文の詳細 |
 |
AOI380A60C | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A | 950 注文の詳細 |
 |
STD64N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 54A DPAK | 964 注文の詳細 |
 |
IRFU9024NPBF | MOSFET P-CH 55V 11A IPAK | 4043 注文の詳細 |
 |
HUFA76413D3ST | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 13245 注文の詳細 |
 |
SI4838BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 34A 8SO | 2520 注文の詳細 |
 |
IPD30N06S2L23ATMA3 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 | 1086 注文の詳細 |
 |
STP10N95K5 | MOSFET N-CH 950V 8A TO220 | 912 注文の詳細 |
 |
TK9A60D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS | 987 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14753 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.41000 | $0.41 |
| 1500 | $0.41000 | $615 |
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