参考まで
| 部品番号 | NP110N055PUK-E1-AY |
| LIXINC Part # | NP110N055PUK-E1-AY |
| メーカー | Renesas Electronics America |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NP110N055PUK-E1-AY PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NP110N055PUK-E1-AY |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 110A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 1.75mOhm @ 55A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 294 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 16050 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
| 動作温度: | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-263 |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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TK110A10PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 1086 注文の詳細 |
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BSC079N03LSCGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | 5047 注文の詳細 |
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SI4116DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 18A 8SO | 17549 注文の詳細 |
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LSIC1MO170E1000 | SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L | 950 注文の詳細 |
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SUP60020E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB | 1563 注文の詳細 |
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BTS114AE3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 13183 注文の詳細 |
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FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN | 11578 注文の詳細 |
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RQ6E085BNTCR | MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 | 1836 注文の詳細 |
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APT43M60L | MOSFET N-CH 600V 45A TO264 | 833 注文の詳細 |
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FCPF850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A TO220F | 15370 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10880 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.56060 | $2.5606 |
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