参考まで
部品番号 | SUP60020E-GE3 |
LIXINC Part # | SUP60020E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SUP60020E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SUP60020E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 150A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 7.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.4mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 227 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 10680 pF @ 40 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 375W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
BTS114AE3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 13105 注文の詳細 |
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IRFS5615TRLPBF | IRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET | 895 注文の詳細 |
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FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN | 11402 注文の詳細 |
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RQ6E085BNTCR | MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 | 1803 注文の詳細 |
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APT43M60L | MOSFET N-CH 600V 45A TO264 | 886 注文の詳細 |
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FCPF850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A TO220F | 15426 注文の詳細 |
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NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB | 5578 注文の詳細 |
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5LN01C-TB-E | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, 5 | 126169 注文の詳細 |
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SPA11N65C3 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 | 1392 注文の詳細 |
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FQD2N60CTF | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | 913 注文の詳細 |
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RM8N700LD | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-2 | 867 注文の詳細 |
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APT14M120S | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | 986 注文の詳細 |
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FDD050N03B | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | 4036 注文の詳細 |
在庫あり | 11519 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.25000 | $3.25 |
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