参考まで
部品番号 | RSH065N06GZETB |
LIXINC Part # | RSH065N06GZETB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RSH065N06GZETB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | RSH065N06GZETB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 37mOhm @ 6.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16 nC @ 5 V |
vgs (最大): | 20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 900 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta) |
動作温度: | 150°C |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOP |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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在庫あり | 12913 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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