TK32E12N1,S1X

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部品番号 TK32E12N1,S1X
LIXINC Part # TK32E12N1,S1X
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N CH 120V 60A TO-220
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TK32E12N1,S1X PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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TK32E12N1,S1X 仕様

部品番号:TK32E12N1,S1X
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVIII-H
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:60A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 500µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:34 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2000 pF @ 60 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):98W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-220
パッケージ・ケース:TO-220-3

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