参考まで
部品番号 | RSR020N06TL |
LIXINC Part # | RSR020N06TL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RSR020N06TL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 11 - Sep 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RSR020N06TL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Not For New Designs |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 170mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 4.9 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 180 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 540mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT3 |
パッケージ・ケース: | SC-96 |
PMGD175XNE115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 862 注文の詳細 |
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ISP650P06NMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 | 1915 注文の詳細 |
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IXTA24P085T | MOSFET P-CH 85V 24A TO263 | 1005 注文の詳細 |
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SFR9014TF | MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK | 14814 注文の詳細 |
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IPP015N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 | 1056 注文の詳細 |
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DMP4013SPSQ-13 | MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060 | 3425 注文の詳細 |
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IRFH8201TRPBF | MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN | 1043 注文の詳細 |
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SISS64DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S | 2437 注文の詳細 |
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CPC3708ZTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223 | 1846 注文の詳細 |
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BUK9505-30A,127 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 4958 注文の詳細 |
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PSMN070-200P,127 | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB | 928 注文の詳細 |
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AOTF3N100 | MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F | 979 注文の詳細 |
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IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | 958 注文の詳細 |
在庫あり | 12180 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.56000 | $0.56 |
3000 | $0.18646 | $559.38 |
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