参考まで
部品番号 | IRF9530PBF-BE3 |
LIXINC Part # | IRF9530PBF-BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF9530PBF-BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IRF9530PBF-BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 300mOhm @ 7.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 38 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 860 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 88W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
APT36N90BC3G | MOSFET N-CH 900V 36A TO247 | 825 注文の詳細 |
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2N7002E,215 | MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB | 99953 注文の詳細 |
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NTMFS4C35NT1G | MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN | 14976951 注文の詳細 |
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SIA456DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 | 9484 注文の詳細 |
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SISH472DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK | 5503 注文の詳細 |
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FDPF680N10T | MOSFET N-CH 100V 12A TO220F | 56839 注文の詳細 |
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BUZ76 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1583 注文の詳細 |
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NTD4804NA-1G | NTD4804NA-1G | 910 注文の詳細 |
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IRLR7833TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | 866 注文の詳細 |
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IRF9Z24STRRPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK | 993 注文の詳細 |
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APTM20DAM05G | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | 845 注文の詳細 |
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AUIRFS4310Z-IR | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 815 注文の詳細 |
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TSM4NB65CH C5G | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 | 11478 注文の詳細 |
在庫あり | 11982 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.69000 | $1.69 |
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