参考まで
部品番号 | G3R75MT12J |
LIXINC Part # | G3R75MT12J |
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | G3R75MT12J PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | G3R75MT12J |
ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
シリーズ: | G3R™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 42A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 90mOhm @ 20A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.69V @ 7.5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 54 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1560 pF @ 800 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 224W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-263-7 |
パッケージ・ケース: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
IRF740ASTRLPBF | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | 1221 注文の詳細 |
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SQ2310ES-T1_GE3 | MOSFET N-CH 20V 6A TO236 | 72202 注文の詳細 |
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SI7686DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 3805 注文の詳細 |
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IPI04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3 | 1726 注文の詳細 |
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IPB35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 910 注文の詳細 |
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TK200F04N1L,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM | 2304 注文の詳細 |
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CSD16404Q5A | MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON | 3366 注文の詳細 |
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PSMN5R0-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 822 注文の詳細 |
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SFU9224TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 274392 注文の詳細 |
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IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 7876 注文の詳細 |
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J176_D74Z | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 862 注文の詳細 |
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IPP65R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 | 20840 注文の詳細 |
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NVTFS6H860NWFTAG | MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN | 5497 注文の詳細 |
在庫あり | 11252 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $11.51000 | $11.51 |
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