参考まで
部品番号 | SIHG24N65E-E3 |
LIXINC Part # | SIHG24N65E-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHG24N65E-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIHG24N65E-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 24A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 145mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 122 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2740 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 250W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247AC |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
IRLIZ44GPBF | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | 1560 注文の詳細 |
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IPW60R330P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | 29657 注文の詳細 |
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NDPL180N10BG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1418 注文の詳細 |
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PHK5NQ15T,518 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | 959 注文の詳細 |
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SUM50010E-GE3 | MOSFET N-CH 60V 150A TO263 | 1568 注文の詳細 |
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BSC040N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON | 27118 注文の詳細 |
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IPB60R299CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 | 19669 注文の詳細 |
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SI2393DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 | 10592 注文の詳細 |
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SQS401ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 3861 注文の詳細 |
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HUF75332P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 914 注文の詳細 |
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IXTT2N300P3HV | MOSFET N-CH 3000V 2A TO268 | 875 注文の詳細 |
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BSS84PH6433XTMA1 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 | 85943 注文の詳細 |
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PMV48XP/MI215 | P-CHANNEL MOSFET | 192944 注文の詳細 |
在庫あり | 10834 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.01720 | $4.0172 |
500 | $4.01720 | $2008.6 |
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