TK40S06N1L,LXHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40S06N1L,LXHQ

TK40S06N1L,LXHQ

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部品番号	TK40S06N1L,LXHQ
LIXINC Part #	TK40S06N1L,LXHQ
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TK40S06N1L,LXHQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TK40S06N1L,LXHQ 仕様

部品番号:	TK40S06N1L,LXHQ
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	U-MOSVIII-H
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	40A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:	18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	2.5V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	1650 pF @ 10 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	88.2W (Tc)
動作温度:	175°C
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	DPAK+
パッケージ・ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK9508-55B,127	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	971 注文の詳細
IRLZ24SPBF	MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK	893 注文の詳細
RFD14N05SM_NL	N-CHANNEL POWER MOSFET	2204 注文の詳細
IRLZ44ZSPBF	MOSFET N-CH 55V 51A TO263-3-2	1612 注文の詳細
TPC8062-H,LQ(CM	MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP	838 注文の詳細
SI3445DV	P-CHANNEL MOSFET	114890 注文の詳細
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AON7428	MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN	852 注文の詳細