参考まで
| 部品番号 | IPP50R299CP |
| LIXINC Part # | IPP50R299CP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPP50R299CP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPP50R299CP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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TN2106N3-G | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 | 2421 注文の詳細 |
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APT22F80S | MOSFET N-CH 800V 23A D3PAK | 917 注文の詳細 |
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IRFI1310NPBF | MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP | 1422 注文の詳細 |
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NTMS4700NR2 | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | 35863 注文の詳細 |
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STV160NF03LT4 | MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO | 800 注文の詳細 |
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RQ3E150BNTB | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | 829 注文の詳細 |
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FDN8601 | MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 | 4623 注文の詳細 |
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STH110N10F7-2 | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 917 注文の詳細 |
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SFT1450-TL-H | MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA | 220940 注文の詳細 |
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SIHH21N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8 | 3754 注文の詳細 |
 |
AOI468 | MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 | 870 注文の詳細 |
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 899 注文の詳細 |
 |
AOT5N50 | MOSFET N-CH 500V 5A TO220 | 845 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10873 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.89000 | $0.89 |
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