参考まで
| 部品番号 | MTW24N40E |
| LIXINC Part # | MTW24N40E |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MTW24N40E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MTW24N40E |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
BSC022N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 | 27900 注文の詳細 |
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SPA15N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1317 注文の詳細 |
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RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3233 注文の詳細 |
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DMT6016LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 933 注文の詳細 |
 |
FDD6670AS | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 | 1292 注文の詳細 |
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IRLL024ZPBF | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 824 注文の詳細 |
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IRFZ44RPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1864 注文の詳細 |
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SSM6J505NU,LF | MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB | 6751 注文の詳細 |
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IPP80N06S2LH5AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 | 38937 注文の詳細 |
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IRFR010PBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | 3112 注文の詳細 |
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SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 3988 注文の詳細 |
 |
FDD86367 | MOSFET N-CH 80V 100A DPAK | 970 注文の詳細 |
 |
SUD50P10-43L-BE3 | MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK | 2778 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14304 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.46000 | $6.46 |
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