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| 部品番号 | IPP65R660CFD |
| LIXINC Part # | IPP65R660CFD |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPP65R660CFD PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPP65R660CFD |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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AUIRF3805L | MOSFET N-CH 55V 160A TO262 | 2893 注文の詳細 |
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IXFA180N10T2 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263 | 876 注文の詳細 |
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IPP100N04S303AKSA1 | IPP100N04 - OPTIMOS N-CHANNEL | 1441 注文の詳細 |
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BSZ900N20NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON | 23605 注文の詳細 |
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FQP6N70 | 6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL, | 29380 注文の詳細 |
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IPD079N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 895 注文の詳細 |
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MCPF05N80-BP | MOSFET N-CH 800V 5A TO220F | 1083 注文の詳細 |
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TJ10S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 837 注文の詳細 |
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IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3814 注文の詳細 |
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IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1801 注文の詳細 |
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IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1339 注文の詳細 |
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FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296810 注文の詳細 |
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SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1946 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15429 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.65000 | $0.65 |
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