FDB86102LZ

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部品番号 FDB86102LZ
LIXINC Part # FDB86102LZ
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FDB86102LZ PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB86102LZ 仕様

部品番号:FDB86102LZ
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:PowerTrench®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:8.3A (Ta), 30A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1275 pF @ 50 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.1W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-263AB
パッケージ・ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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