参考まで
部品番号 | IRFD213 |
LIXINC Part # | IRFD213 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFD213 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFD213 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 250 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 450mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2Ohm @ 270mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8.2 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 140 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
パッケージ・ケース: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
IRFM220BTF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 75318 注文の詳細 |
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IPB60R160C6ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK | 2218 注文の詳細 |
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STP20NF20 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB | 1144 注文の詳細 |
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NVTFS5824NLTAG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 2497 注文の詳細 |
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NTB12N50T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4921 注文の詳細 |
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R6020ENJTL | MOSFET N-CH 600V 20A LPTS | 1227 注文の詳細 |
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IRFR9014TRPBF | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | 4365 注文の詳細 |
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TP2510N8-G | MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA | 17241 注文の詳細 |
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IXTH140N075L2 | MOSFET N-CH 75V 140A TO247 | 1239 注文の詳細 |
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IRLB3813PBF | MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB | 4817 注文の詳細 |
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FQP4N20 | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3 | 11570 注文の詳細 |
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BSC884N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15856 注文の詳細 |
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STI33N65M2 | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 2838 注文の詳細 |
在庫あり | 16373 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.59000 | $0.59 |
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