参考まで
| 部品番号 | BSC884N03MSG |
| LIXINC Part # | BSC884N03MSG |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSC884N03MSG PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSC884N03MSG |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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STI33N65M2 | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 2870 注文の詳細 |
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IXTQ52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO3P | 6758437 注文の詳細 |
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NTB6413ANG | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | 829 注文の詳細 |
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AON7262E | MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN | 883 注文の詳細 |
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IPS80R2K0P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 | 917 注文の詳細 |
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IRFP264PBF | MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 | 1218 注文の詳細 |
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IXFN150N65X2 | MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B | 987 注文の詳細 |
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AUIRFS4310 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 19866 注文の詳細 |
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PHT6NQ10T,135 | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 | 9727 注文の詳細 |
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RM8N650TI | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F | 864 注文の詳細 |
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SSM3K15AFU,LF | MOSFET N-CH 30V 100MA USM | 928 注文の詳細 |
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IPI030N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | 11008 注文の詳細 |
 |
SIHP105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | 1986 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15943 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.35000 | $0.35 |
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