参考まで
| 部品番号 | RM8N650TI |
| LIXINC Part # | RM8N650TI |
| メーカー | Rectron USA |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RM8N650TI PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RM8N650TI |
| ブランド: | Rectron USA |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rectron USA |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8A (Tj) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 450mOhm @ 4A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±30V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 680 pF @ 50 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 31.7W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
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| 在庫あり | 10914 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
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