参考まで
部品番号 | FQP9N08L |
LIXINC Part # | FQP9N08L |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQP9N08L PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | FQP9N08L |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.1 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 280 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 40W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
RTR025P02TL | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 | 3011 注文の詳細 |
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PMCPB5530X | NOW NEXPERIA PMCPB5530X - SMALL | 932 注文の詳細 |
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IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO3P | 938 注文の詳細 |
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SI4626ADY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 30A 8SO | 974 注文の詳細 |
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SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 847 注文の詳細 |
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FQB65N06TM | MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK | 7074 注文の詳細 |
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IRFP27N60KPBF | MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 | 10362 注文の詳細 |
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BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 968 注文の詳細 |
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IPA60R230P6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP | 898 注文の詳細 |
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AUIRF1324STRL7P | MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK | 2192 注文の詳細 |
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IPD60R400CEATMA1 | 600V COOLMOS N-CHANNEL | 2284 注文の詳細 |
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IRFS3806TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 4108 注文の詳細 |
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C3M0350120D | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 956 注文の詳細 |
在庫あり | 16082 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.27000 | $0.27 |
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